近日，我國在高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，標(biāo)志著半導(dǎo)體照明行業(yè)技術(shù)開發(fā)邁上新臺(tái)階。這一突破不僅提升了發(fā)光效率，還顯著優(yōu)化了材料壽命和穩(wěn)定性，為綠色節(jié)能照明應(yīng)用提供了有力支撐。

研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過創(chuàng)新工藝優(yōu)化了氮化鎵（GaN）等核心材料的晶體質(zhì)量，解決了傳統(tǒng)半導(dǎo)體照明中存在的效率衰減問題。新技術(shù)使得LED器件在同等功耗下光效提升超過15%，同時(shí)材料成本得到有效控制，為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定了基礎(chǔ)。

此次技術(shù)突破還將推動(dòng)智能照明、植物照明等高端應(yīng)用場景的發(fā)展，預(yù)計(jì)未來三年內(nèi)可實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品商業(yè)化。這一成果充分展現(xiàn)了我國在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的自主研發(fā)能力，對(duì)促進(jìn)照明產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)具有重要意義。